特許
J-GLOBAL ID:200903001546278648

切り花の強制開花処理方法及び強制開花処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶 良之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-372321
公開番号(公開出願番号):特開2003-169542
出願日: 2001年12月06日
公開日(公表日): 2003年06月17日
要約:
【要約】【課題】 切り花の強制開花処理期間の短縮と該処理対象切り花の拡大を図る。【解決手段】 本発明の切り花の強制開花処理方法は、蕾状態の切り花の茎切り口を水中に浸漬した状態で、波長が400nm〜700nmの光量子束密度である光合成有効光量子束密度(PPFD)が50μmolm-2s-1以上の高強度光の照射を前記切り花に対して行い、これによって切り花の光合成作用を利用して開花エネルギーを供給し開花の促進を行うもので、前記PPFDとしては100μmolm-2s-1以上が好ましい。
請求項(抜粋):
蕾状態の切り花に対し、該切り花の茎切り口を水中に浸漬した状態で、波長が400nm〜700nmの光量子束密度である光合成有効光量子束密度(PPFD)が50μmolm-2s-1以上の高強度光の照射を行い、これにより、前記切り花の光合成作用を利用して開花エネルギーを供給する事によって前記蕾状態の切り花の開花を促進する事を特徴とする切り花の強制開花処理方法。
IPC (3件):
A01G 7/00 601 ,  A01G 7/00 604 ,  A01G 7/02
FI (3件):
A01G 7/00 601 C ,  A01G 7/00 604 Z ,  A01G 7/02
Fターム (4件):
2B022AB17 ,  2B022DA08 ,  2B022DA15 ,  2B022DA17
引用特許:
審査官引用 (4件)
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