レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120636
公開番号（公開出願番号）：特開2006-301145
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】多層レジストプロセス用、特には2層レジストプロセス用、3層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、酸発生剤として、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、酸発生剤として、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。

IPC (5件)：

G03F 7/11 , C08F 214/26 , C08F 216/14 , G03F 7/26 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/11 503 , C08F214/26 , C08F216/14 , G03F7/26 511 , H01L21/30 502R

Fターム (26件)：

2H025AA03 , 2H025AA17 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025CB32 , 2H025CB41 , 2H025DA39 , 2H025DA40 , 2H025FA35 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096HA07 , 2H096KA18 , 4J100AC26P , 4J100AE38Q , 4J100BA02Q , 4J100BA56Q , 4J100BB12Q , 4J100BB13Q , 4J100CA04 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (7件)

ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294009 出願人：日本電信電話株式会社
高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029321 出願人：信越化学工業株式会社
高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-227633 出願人：信越化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る