特許
J-GLOBAL ID：200903001598517454

固体撮像素子

発明者：
乾谷 正史

乾谷 正史 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335570
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147824
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】ハイブリッド型の固体撮像素子において、光電変換膜で発生される信号電荷量や光電変換素子に蓄積される信号電荷量の増大に対応することが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子100は、半導体基板1上のX方向とこれに直交するY方向に配列される複数の光電変換素子2,4及び光電変換膜で発生する信号電荷を蓄積する信号電荷蓄積部3と、半導体基板1に形成され、複数の光電変換素子2,4及び信号電荷蓄積部3にそれぞれ蓄積される信号電荷を読み出してY方向に転送する垂直転送路6と、垂直転送路6から転送されてきた信号電荷をX方向に転送する水平転送路7と、水平転送路7から転送されてきた信号電荷に応じた色信号を出力する出力部8とを備え、垂直転送路6は、X方向に隣接する複数の光電変換素子2,4の間及び信号電荷蓄積部3の間に2つづつ形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上方に積層される光電変換膜と、 前記半導体基板上の行方向とこれに直交する列方向に配列される複数の光電変換素子、及び、前記光電変換膜で発生する信号電荷を蓄積する信号電荷蓄積部と、 前記半導体基板に形成され、前記複数の光電変換素子及び前記信号電荷蓄積部にそれぞれ蓄積される信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読み出し回路とを備え、 前記信号読み出し回路は、前記複数の光電変換素子及び前記信号電荷蓄積部にそれぞれ蓄積される信号電荷を読み出して前記列方向に転送する垂直転送路と、前記垂直転送路から転送されてきた信号電荷を前記行方向に転送する水平転送路と、前記水平転送路から転送されてきた信号電荷に応じた色信号を出力する出力部とを含み、 前記垂直転送路は、前記複数の光電変換素子及び前記信号電荷蓄積部のうち、前記行方向に隣接するもの同士の間に2本配置されるように、且つ、前記列方向に延びるように形成されている固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07 ,  H01L 27/148
FI (5件)：
H01L27/14 F ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 U ,  H04N9/07 A ,  H01L27/14 B
Fターム (36件)：
4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA20 ,  4M118DA13 ,  4M118FA06 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GC07 ,  4M118GC14 ,  4M118GC17 ,  4M118GD04 ,  5C024AX01 ,  5C024CX11 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01 ,  5C024HX01 ,  5C065BB13 ,  5C065CC01 ,  5C065DD02 ,  5C065DD17 ,  5C065EE03 ,  5C065EE10 ,  5C065EE11 ,  5C065GG13 ,  5C065GG21 ,  5C065GG22 ,  5C065GG23
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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