特許
J-GLOBAL ID：200903001670936866

接続端子およびその製造方法

発明者：
大下 文夫

大下 文夫 について


出願人/特許権者：
株式会社高松メッキ

株式会社高松メッキ について

, 
東海電気株式会社

東海電気株式会社 について


代理人 (1件)： 恒田 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-007102
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196323
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 経時的に低い接触抵抗が保持されたり、下地金属の拡散により皮膜の硬度上昇を招くというような不都合を防止でき、実装部の半田濡れ特性が維持される接続端子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した接続端子において、少なくとも嵌合部または接点部にリフローを施し、且つ、そのリフローについて、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成した。また、接続端子を構成する導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施してから、少なくとも嵌合部又は接点部にレーザー光線を走査して照射することによりリフローを施すとともに、その照射により導電性基体に達しない表層近傍に溶融・再結晶化層を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した接続端子において、少なくとも嵌合部または接点部にリフローを施し、且つ、そのリフローについて、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成したことを特徴とする接続端子。
IPC (2件)：
H01R 13/03 ,  H01R 43/16
FI (2件)：
H01R13/03 D ,  H01R43/16
Fターム (3件)：
5E063GA01 ,  5E063GA08 ,  5E063GA09
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM