特許
J-GLOBAL ID：200903063942786112
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006956
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206671
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 フォトマスク表面に複雑なトポグラフィーが形成され、製造工程での耐久性は低く欠陥を引起し低品質でこれを使用して製造される半導体集積回路装置の歩留まりが低下するといった課題があった。【解決手段】 透明ガラス基板10とその面上の凹部23内に形成された遮光パターン11と、透明ガラス基板10と遮光パターン11上に選択的に形成され、その表面が平坦である位相シフトパターン102が形成されたフォトマスクおよびその製造方法。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の面上に形成された所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成された遮光膜からなる遮光パターンと、前記遮光パターンの各々の表面、または裏面、または表面および裏面に反射防止膜が形成されたフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 1/14 F
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BA12
, 2H095BB03
, 2H095BB08
, 2H095BB10
, 2H095BB15
, 2H095BB27
, 2H095BC10
, 2H095BC13
, 2H095BC24
, 2H095BC28
