導電性膜及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251834
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059343
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【解決手段】 n価(nは金属の価数)の電荷を有する金属イオンと、n-2価、n-1価、n+1価から選ばれる電荷を有する少なくとも1種の金属イオンとを含むゲル膜からなることを特徴とする導電性膜。【効果】本発明の新規導電性膜によれば、ガラス、セラミックス、金属及びプラスチックなどの各種基材に対する密着性、耐擦傷性に優れ、導電性、透明性が良好な硬化被膜を湿式法で簡便・安価に塗工することができる。また、本発明の導電性膜は、透明性・導電性を必要とする電磁波シールド材、帯電防止材、透明電極などへの使用に有用である。

請求項（抜粋）：

n価(nは金属の価数)の電荷を有する金属イオンと、n-2価、n-1価、n+1価から選ばれる電荷を有する少なくとも1種の金属イオンとを含むゲル膜からなることを特徴とする導電性膜。

IPC (2件)：

H01B 5/14 , H01B 13/00 503

FI (2件)：

H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B

Fターム (7件)：

5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB04 , 5G323BA03 , 5G323BA04 , 5G323BB01 , 5G323BC03

引用特許：

審査官引用 (8件)

透明導電膜形成用組成物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-168266 出願人：株式会社関西新技術研究所
In2O3-SnO2前駆体ゾルの製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-153019 出願人：株式会社関西新技術研究所
特開昭63-233088

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