偏波制御半導体レーザ形光増幅素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191259
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154841
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ形の光増幅素子において、異なる偏波光が入力されたときのゲイン差をより小さくすることを目的とする。【解決手段】活性層105は、基板102の水平方向の大きさが垂直方向の厚さより大きいので、基板102に水平方向の偏波光であるTE偏波光をより効果的に増幅する。また、活性層106は、基板102の垂直方向の厚さが水平方向の広がりより大きいので、基板102に垂直方向の偏波光であるTM偏波光をより効果的に増幅する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された第1のクラッド層と、その第1のクラッド層上に形成され、光信号の入力または出力端面を有する第1の活性層と、前記第1のクラッド層上に形成され、光信号の入力または出力端面を有する第2の活性層と、前記第1および第2の活性層上に形成された第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層の前記第1,2の活性層および第2のクラッド層を含めた上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上に形成された前記第1の活性層の領域に電流を注入するための第1の電極と、前記キャップ層上に形成された前記第2の活性層の領域に電流を注入するための第2の電極と、前記半導体基板裏面に形成された第3の電極と、前記第1の活性層の入力または出力端面および前記第2の活性層の出力または入力端面に形成された反射防止膜とを備え、前記第1の活性層は前記第2の活性層に比較して前記半導体基板と水平方向の偏波光をより増幅し、前記第2の活性層は前記第1の活性層に比較して前記半導体基板と垂直方向の偏波光をより増幅することを特徴とする偏波制御半導体レーザ形光増幅素子。

IPC (2件)：

H01S 3/103 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01S 3/103 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体レーザ型光増幅素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-201224 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-233783
半導体光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042831 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る