特許
J-GLOBAL ID：200903001775863023
カーボンナノチューブの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358136
公開番号（公開出願番号）：特開2003-159700
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：
【要約】【課題】不純物が残存しないカーボンナノチューブの加工方法を提供すること。【解決手段】エネルギーが120keVより低いエネルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴とする。つまり、300kV以上で加速した電子線をカーボンナノチューブに照射する方法では、照射された電子によりカーボンナノチューブを構成する炭素原子が単独で弾き出されることで欠陥が生成し、非晶質化しているのに対して、エネルギーを120keVより小さくしたエネルギー線の照射を行うことで、照射された電子はカーボンナノチューブを構成する炭素原子を弾き出すことができず、カーボンナノチューブを構成する炭素原子からなる構造中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中による発熱などで局所的に応力が発生してその部分の化学結合が切断されて、nmオーダーの破断部位が生起することとなるものと考えられる。
請求項（抜粋）：
エネルギーが120keVより低いエネルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴とするカーボンナノチューブの加工方法。
IPC (4件)：
B82B 3/00
, B23K 15/00 506
, C01B 31/02 101
, H01M 4/86
B82B 3/00
, B23K 15/00 506
, C01B 31/02 101 F
, H01M 4/86 B
4E066BB02
, 4E066CB16
, 4G046CC00
, 4G046CC09
, 5H018DD05
, 5H018EE05
, 5H018HH06
