特許
J-GLOBAL ID：200903001852026903

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

発明者：
高谷 秀史

高谷 秀史 について

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濱田 公守

濱田 公守 について

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宮城 恭輔

宮城 恭輔 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355419
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158275
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】フローティング構造を有する半導体装置であって,オン抵抗特性を維持しつつさらなる高耐圧化が図られた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,次の手順で作製される。まず,半導体基板の上面にマスクパターンを形成し,半導体基板の上面からゲートトレンチ21を形成する。次に,高加速電圧でイオン注入を行う。次に,低加速電圧でイオン注入を行う。次に,熱拡散処理を行う。これにより,N- ドリフト領域12中に,断面が縦長の形状となるPフローティング領域51が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, 半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通するトレンチ部と, 前記トレンチ部の側壁に位置するゲート絶縁膜と, 前記トレンチ部内に位置し,前記ボディ領域と前記ゲート絶縁膜を挟んで対面するゲート電極と, 前記ゲート電極よりも下方に位置し,前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記ボディ領域から隔離され,第1導電型半導体であるフローティング領域とを有し, 前記フローティング領域は,縦方向の幅が横方向の幅の1.5倍以上であることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658D
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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