半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230196
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329510
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。【解決手段】固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、ケイ素含有率が20重量%以上であり、シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下であり、デュロメータタイプAによる硬度測定値(ショアA)が5以上90以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、 (2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、 (3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である半導体発光デバイス用部材の製造方法であって、 SiXnY14-n(前記式中、Xは加水分解性基を表わし、Y1は1価の有機基を表わし、nはX基の数を表わす1以上4以下の整数を表わす。)で表わされる化合物及び/又はそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物を乾燥させる工程を有し、上記加水分解・重縮合を溶媒の存在下で行なうとともに、上記の重縮合物を乾燥させる前に、上記重縮合物から上記溶媒を留去する工程を備えることを特徴とする、半導体発光デバイス用部材の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , C08G 77/16

FI (2件)：

H01L33/00 N , C08G77/16

Fターム (34件)：

4J246AA03 , 4J246AB13 , 4J246BA03X , 4J246BA030 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246CA12X , 4J246CA120 , 4J246CA24X , 4J246CA40X , 4J246FA131 , 4J246FA441 , 4J246FC181 , 4J246FE06 , 4J246FE25 , 4J246FE34 , 4J246GA12 , 4J246GB12 , 4J246GC12 , 4J246GC22 , 4J246GC23 , 4J246HA29 , 5F041AA03 , 5F041AA44 , 5F041AA46 , 5F041DA07 , 5F041DA18 , 5F041DA20 , 5F041DA47 , 5F041DA61 , 5F041DA77 , 5F041DA78 , 5F041DB01 , 5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (5件)

特許第3275308号公報
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-396258 出願人：岡谷電機産業株式会社
蛍光体層形成用液
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-434786 出願人：株式会社槌屋

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審査官引用 (2件)

窒化物系蛍光体および発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-326155 出願人：日亜化学工業株式会社
LEDランプ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-078267 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社光波

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