特許
J-GLOBAL ID:200903002060543320

表面処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-208416
公開番号(公開出願番号):特開2002-025496
出願日: 2000年07月10日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】 表面処理の対象物に塵が付着することを防止して精密に表面処理を施すことが可能な表面処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマイオン注入法により被処理物2にイオン注入を行うのに、被処理物2を電極体5の前面とは一定の間隔をあけて真空容器3内に取り付ける。電極体5の前面に塵が付着していた場合であっても、その塵が被処理物2の裏面に付着することを防止することができる。
請求項(抜粋):
被処理物に注入するためのイオンを含むプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記被処理物に対してパルス状電圧を電極体から印加する電圧印加手段とを備え、前記プラズマ発生手段により、前記被処理物に注入するイオンを含むプラズマを発生させ、このプラズマ中で前記電圧印加手段により前記電極体からパルス状電圧を前記被処理物に印加し、イオンを前記被処理物に注入することにより前記被処理物の表面を処理する表面処理装置であって、前記被処理物を前記電極体と一定の間隔をあけて取り付けてイオン注入することを特徴とする表面処理装置。
IPC (2件):
H01J 37/317 ,  C23C 14/48
FI (2件):
H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z
Fターム (4件):
4K029CA10 ,  4K029DE00 ,  5C034CC07 ,  5C034CC19
引用特許:
審査官引用 (10件)
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