特許
J-GLOBAL ID：200903002063170443
パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298315
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114575
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】半田層の劣化等によるパワー半導体素子の温度上昇を、簡単な比較演算のみによって早期に検出し、簡易な構造により低コストで寿命を推定可能としたパワーモジュールを提供する。 【解決手段】絶縁配線基板上に実装されたパワー半導体素子を有するパワーモジュールの寿命判定技術に関する。パワーモジュール内の温度を検出する少なくとも2個のダイオード11a,11bを備え、これらの温度特性を利用してパワー半導体素子1の表面等の2箇所の温度勾配(温度差)を検出し、その値を基準値と比較してパワー半導体素子1の寿命到来を推定する。温度検出手段としては、ダイオード以外にサーミスタや熱電対を使用することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁配線基板上に実装されたパワー半導体素子を有するパワーモジュールにおいて、
このパワーモジュール内の温度を検出する少なくとも2個の温度検出手段を備え、これらの温度検出手段による検出温度の温度勾配に基づいてパワー半導体素子の寿命を推定することを特徴とするパワーモジュール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BB14
, 5F036BF01
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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