縦型電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100400
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299613
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】電気的特性が優れたゲート絶縁膜を具備する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10上に形成された突出部13と、突出部13の側面に形成され、ハロゲン元素を含有するゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上に形成されたゲート電極15とを具備することを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板表面に形成された突出部と、前記突出部の下端部に形成されたソース領域と、前記突出部の上端部に形成されたドレイン領域と、ハロゲン元素を添加することにより、前記突出部の下端部から上端部にかけて膜厚が均一化された前記突出部側面のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜表面に形成されたゲート電極とを具備する縦型電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 B , H01L 21/316 P , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 658 F

Fターム (31件)：

5F058BA01 , 5F058BA04 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BE04 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F140AC23 , 5F140BB04 , 5F140BC15 , 5F140BD09 , 5F140BD17 , 5F140BE06 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF33 , 5F140BF38 , 5F140BF44 , 5F140BG32 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BH05 , 5F140BH30 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140CC03

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の構造および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-175407 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-190303 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-252356 出願人：株式会社東芝

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