特許
J-GLOBAL ID：200903002075478990

多層配線基板およびその作製方法

発明者：
阿部 知行

阿部 知行 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-087431
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266183
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】 インタスティシャル・ビアホール(IVH)で接続される多層配線基板において、接続の信頼性を高める。【解決手段】 多層配線基板(1)は、少なくとも第1配線層(12)と第2配線層(32)が絶縁層を介して積層された多層配線層と、前記第1配線層と第2配線層を電気的に接続する接続ビア(25)とを有し、前記接続ビアは、第1の金属粒子(22)の集合体である内部導体と、前記内部導体を覆う第2の金属膜とで構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも第1配線層と第2配線層が絶縁層を介して積層された多層配線層と、 前記第1配線層と第2配線層を電気的に接続する接続ビアと を有し、前記接続ビアは、第1の金属粒子の集合体である内部導体と、前記内部導体を覆う第2の金属膜とで構成されることを特徴とする多層配線基板。
IPC (1件)：
H05K 3/46
FI (1件)：
H05K3/46 N
Fターム (7件)：
5E346AA43 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346FF01 ,  5E346HH07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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