特許
J-GLOBAL ID：200903002115824250
縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297583
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101023
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 良好な素子特性を有する縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 N+型のドレイン領域12上にN型のドリフト領域13をエピタキシャル成長法により形成する。ドリフト領域13の表面領域にP型のベース領域14を形成し、さらに、ベース領域14の表面領域にN+型のソース領域15を形成する。ここで、隣接するベース領域14の間には、狭い幅のN+型の高濃度ドリフト領域17が配置されている。高濃度ドリフト領域は、ドリフト領域13よりも高くかつベース領域14のチャネル領域(ch)の不純物濃度と1/5以上の不純物濃度を有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域上に設けられ、前記ドレイン領域よりも不純物濃度の低い第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域内に複数設けられた第2導電型のベース領域と、前記ベース領域内に設けられ、前記ドリフト領域よりも不純物濃度の高い第1導電型のソース領域と、互いに隣接する前記ベース領域に挟まれた、前記ドリフト領域の表面領域に設けられ、前記ドリフト領域よりも不純物濃度が高く、かつ、前記ベース領域とほぼ同じオーダあるいはそれよりも高い不純物濃度を有する高濃度ドリフト領域と、を備える、ことを特徴とする縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
引用特許：
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