特許
J-GLOBAL ID:200903002135927749

パワー半導体チップ、パワー半導体モジュール、インバータ装置、及びインバータ一体型モータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 北村 修一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-030545
公開番号(公開出願番号):特開2009-088466
出願日: 2008年02月12日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】モータとインバータとが効率的に一体化されたインバータ一体型モータを提供する。またこのモータに利用することができる半導体チップを提供する。【解決手段】表面形状が正三角形のダイの一方側の面の頂点部にエミッタ端子E、頂点部の対辺にゲート端子G、他方側の面にコレクタ端子が配置されてIGBTチップ1、3が構成される。IGBTチップ1のエミッタ端子Eがある頂点部を突き合わせてパワー半導体モジュール10、30が構成される。6つのパワー半導体モジュール10、30が正六角形状に配置され、直流電力を3相交流電力に変換するインバータ50が構成される。正六角形状のインバータ50の中心とモータの回転軸とを一致させて、インバータ50がモータの端部に備えられてインバータ一体型モータ構成される。【選択図】図22
請求項(抜粋):
パワーエレクトロニクス回路で用いられるパワー半導体素子を構成するパワー半導体チップであって、当該パワー半導体チップのダイの表面形状が正三角形であるパワー半導体チップ。
IPC (5件):
H01L 29/78 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04
FI (7件):
H01L29/78 652S ,  H01L25/04 C ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652Q
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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