特許
J-GLOBAL ID：200903002181397096

静電チャックおよび基板処理装置

発明者：
鶴田 英芳

鶴田 英芳 について

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山田 聡

山田 聡 について

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梨本 清

梨本 清 について

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宮崎 直貴

宮崎 直貴 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について

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アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019487
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222851
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】静電チャックにおいて、突起と半導体ウエハーとの擦れによって発生するパーティクルを低減させ、半導体ウエハーの温度の均一性を向上させる。【解決手段】静電チャック1は、ウエハー10を設置する設置面2aを有する絶縁層2と、絶縁層2内に設置されている内部電極と、設置面2aから突出する、ウエハー10と接触する接触面14を有する突起3Aを備える。ウエハー10を吸着した状態で、設置面2aと突起3Aとウエハー10とによって形成された空間11内にバックサイドガスを流すことで、ウエハー10の温度分布を均一化させる。突起3Aのウエハー10と接触するべき接触面14の面積の合計値が、内部電極の面積の5%以上、10%以下である。突起3Aの高さHが5μm以上、10μm以下である。
請求項（抜粋）：
ウエハーを設置するための設置面を有する絶縁層と、この絶縁層内に設置されている内部電極と、前記設置面から突出する、前記ウエハーと接触するべき接触面を有する突起を備えており、前記ウエハーを吸着した状態で、前記設置面と前記突起と前記ウエハーとによって形成された空間内にバックサイドガスを流すことで前記ウエハーの温度分布を均一化させる静電チャックであって、前記突起の前記接触面の面積の合計値が、前記内部電極の面積の5%以上、10%以下であり、前記突起の高さが5μm以上、10μm以下であることを特徴とする、静電チャック。
IPC (3件)：
H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H02N 13/00
FI (3件)：
H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H02N 13/00 D
Fターム (11件)：
3C016CE05 ,  3C016GA10 ,  5F031CA02 ,  5F031CA11 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA16 ,  5F031HA40 ,  5F031JA01 ,  5F031JA46 ,  5F031PA26
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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