低誘電率膜形成用組成物、低誘電率膜及びその製造方法、並びに半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077381
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273099
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。【解決手段】下記一般式(1)で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、放射線分解性化合物とを、少なくとも含有することを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。【化1】XnSi(OR)4-n ・・・一般式(1)一般式(1)中、Xは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。nは、0から3までの整数を表す。放射線分解性化合物の含有量が、ポリシロキサン100質量部に対し、0.1〜200質量部である態様、吸収極大波長が互いに異なる2種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、分子サイズが互いに異なる2種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、などが好ましい。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、放射線分解性化合物とを、少なくとも含有することを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。【化1】XnSi(OR)4-n ・・・一般式(1)前記一般式(1)において、Xは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。nは、0から3までの整数を表す。

IPC (2件)：

H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 C , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q , H01L 21/90 A

Fターム (39件)：

5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR23 , 5F033SS04 , 5F033SS21 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AG10

引用特許：

審査官引用 (8件)

絶縁膜形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084133 出願人：富士通株式会社
低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率シリカ系被膜付基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-214438 出願人：触媒化成工業株式会社
有機ケイ素化合物からなる多孔質膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-298932 出願人：三菱マテリアル株式会社, 大日本塗料株式会社

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