特許
J-GLOBAL ID:200903003466420063 半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体素子
発明者:
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出願人/特許権者: 代理人 (1件):
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-131769
公開番号(公開出願番号):特開2002-016057
出願日: 2001年04月27日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】 ナノメートル以下の大きさの気孔を含有する多孔性低誘電率層間絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、a)マトリックス樹脂と気孔形成有機分子との複合体を製造する段階;b)前記複合体を基板上にコーティングする段階;およびc)前記複合体を加熱して有機分子を除去することによって、複合体内部に気孔を形成する段階を有する半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
a)マトリックス樹脂と気孔形成有機分子との複合体を製造する段階、b)前記複合体を基板上にコーティングする段階、およびc)前記複合体を加熱して有機分子を除去することによって、複合体内部に気孔を形成する段階を有する半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/312
, C09D 5/25
, C09D183/04
, C09D183/14
, H01L 21/768
FI (6件):
H01L 21/312 C
, C09D 5/25
, C09D183/04
, C09D183/14
, H01L 21/90 S
, H01L 21/90 Q
Fターム (19件):
4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL161
, 4J038DL162
, 4J038NA12
, 4J038PB09
, 5F033QQ74
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033WW01
, 5F033WW09
, 5F033XX24
, 5F033XX27
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
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