特許
J-GLOBAL ID：200903002270601683
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104160
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264170
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】 シリコン含有膜(バリア層)上の絶縁膜をエッチングした後、そのまま、絶縁膜上のレジストをアッシングすれば、エッチング工程で生じて処理容器内の物(部品)に付着した副生成物から、バリア層に対して反応活性な物質(フッ素ラジカル等)が発生し、バリア層もエッチングされてしまう。【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、バリア層上の絶縁膜をエッチングした後で、レジストのアッシング前に、処理容器内のクリーニングを行う。また、バリア層上の絶縁膜のエッチングと、レジストのアッシングを別の処理容器内で行う。また、N2にH2を少量添加したガスのプラズマでレジストのアッシング行う。
請求項（抜粋）：
処理容器内に導入したフッ素を含むガスをプラズマ化し、被処理体中のシリコン含有膜上にある膜を、この膜上にあるマスクのパターンを介してエッチングして上記シリコン含有膜を露出させる工程と、上記処理容器内の物に付着したフッ素を含有する副生成物を除去する工程と、上記処理容器内で上記マスクを除去する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
Fターム (23件)：
5F004AA13
, 5F004BA08
, 5F004BB08
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BC02
, 5F004BD01
, 5F004BD03
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA03
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DA30
, 5F004DB03
, 5F004EA23
, 5F004EB03
