特許
J-GLOBAL ID：200903002291621919

裏面入射型固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
馬渕 圭司

馬渕 圭司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-363580
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173351
出願日： 2004年12月15日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 裏面入射型固体撮像装置において、信号電荷(例えば電子、ホールなど)を収集するための電場を確実に発生させて、クロストークを低減を図る。【解決手段】 半導体基板31上に絶縁膜32を介して半導体膜33を有する構成34を備え、半導体基板31に画素を構成する光電変換素子PDが形成され、画素を構成する少なくとも一部のトランジスタ15,16,19が半導体膜33に形成され、半導体基板31の裏面側に電圧が印加される裏面電極51が形成されて成る。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して半導体層を有する構成を備え、 前記半導体基板に画素を構成する光電変換素子が形成され、 前記画素を構成する少なくとも一部のトランジスタが前記半導体膜に形成され、 前記半導体基板の裏面側に電圧が印加される裏面電極が形成されて成る ことを特徴とする裏面入射型固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 C
Fターム (36件)：
4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD02 ,  4M118HA22 ,  4M118HA23 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024CX03 ,  5C024CX37 ,  5C024CX41 ,  5C024CX54 ,  5C024CY47 ,  5C024EX25 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX19 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C024HX44
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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