特許
J-GLOBAL ID:200903002312146914
端子、それを有する部品および製品
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-039806
公開番号(公開出願番号):特開2005-232484
出願日: 2004年02月17日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】 本発明は、ウィスカの発生防止と低温での良好なはんだ付性を両立させ、かつ表面被覆層の厚みを薄くかつ均一なものとするとともにコスト的にも安価な端子を提供することにある。【解決手段】 本発明の端子は、導電性基体上の全面または部分にSn層を形成し、そのSn層上にSn合金層を形成してなるものであって、該Sn層は、電気めっきにより形成される厚み0.1〜20μmのSnからなる層であり、該Sn合金層は、電気めっきにより形成される厚み0.1〜20μmの、Sn-Ag二元合金、Sn-Ag-Cu三元合金、またはSn-Ag-Cu-Bi四元合金のいずれかからなる層であることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導電性基体上の全面または部分にSn層を形成し、そのSn層上にSn合金層を形成してなる端子であって、
前記Sn層は、電気めっきにより形成される厚み0.1〜20μmのSnからなる層であり、
前記Sn合金層は、電気めっきにより形成される厚み0.1〜20μmの、Sn-Ag二元合金、Sn-Ag-Cu三元合金、またはSn-Ag-Cu-Bi四元合金のいずれかからなる層であることを特徴とする端子。
IPC (5件):
C25D7/00
, C25D3/60
, C25D5/10
, C25D5/26
, H01R13/03
FI (5件):
C25D7/00 H
, C25D3/60
, C25D5/10
, C25D5/26 K
, H01R13/03 D
Fターム (17件):
4K023AA17
, 4K023AB34
, 4K023BA07
, 4K023BA22
, 4K023BA29
, 4K023DA02
, 4K023DA04
, 4K024AA07
, 4K024AA21
, 4K024AB02
, 4K024BA03
, 4K024BA09
, 4K024BB10
, 4K024BC10
, 4K024CA01
, 4K024GA14
, 4K024GA16
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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