基板、特に半導体ウェハの加工

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人湘洋内外特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-532249
公開番号（公開出願番号）：特表2005-504445
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

基板の第1の面における構造(3)は、基板の全深さ(full depth)には満たない所定の深さまで、紫外または可視放射レーザによって加工される。前記構造に通ずるように、第1の面に対向する、基板の第2の面から、材料(5)が、第1の面からの深さが所定のところまで除去される。この材料は、例えば、ラッピング及び研磨、化学的エッチング、プラズマエッチングまたはレーザアブレーションによって除去することができる。本発明は、例えば、半導体ウェハをダイシングする場合、メタライズされたビアをウェハ内に形成する場合に適用できる。

請求項（抜粋）：

基板を加工する方法であって、 (a)可視または紫外放射を発するレーザで、前記基板の第1の面内に、前記基板の全深さには満たない、前記第1の面から所定の深さまで構造を加工するステップと、 (b)前記構造に通じるように、前記第1の面に対向する、前記基板の第2の面から、材料を、前記第1の面からの深さが所定のところまで除去するステップと、を備える方法。

IPC (4件)：

H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/12 , B28D5/00

FI (7件)：

H01L21/78 Q , B23K26/00 D , B23K26/00 320E , B23K26/00 330 , B23K26/12 , B28D5/00 Z , H01L21/78 B

Fターム (11件)：

3C069AA01 , 3C069BA08 , 3C069CA05 , 3C069EA01 , 4E068AD01 , 4E068AE01 , 4E068AF01 , 4E068CA04 , 4E068CG01 , 4E068CJ01 , 4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-270156
半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277793 出願人：沖電気工業株式会社
特開平1-109754

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