マイクロ波集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262305
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125464
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】トランジスタ等の半導体素子を備えたマイクロ波集積回路において,伝熱効率に優れたマイクロ波集積回路を提供する。【構成】発熱源である半導体素子113と回路素子の発生熱を放熱する放熱板108とを備えたマイクロ波集積回路において,半導体素子113を搭載した金属性のサブキャリア109と,半導体素子113より発熱量の少ない回路素子を搭載し,一部がくり貫かれたくり貫き部を有する第1の配線基板101とを具備し,くり貫き部にサブキャリア109を配置して放熱板108にサブキャリア109と第1の配線基板101とを固着して構成したものである。

請求項（抜粋）：

発熱源である半導体素子と回路素子の発生熱を放熱する放熱板とを備えたマイクロ波集積回路において,前記半導体素子を搭載した金属性のサブキャリアと,前記半導体素子より発熱量の少ない回路素子を搭載し,一部がくり貫かれたくり貫き部を有する第1の配線基板とを具備し,前記くり貫き部に前記サブキャリアを配置して前記放熱板に前記サブキャリアと前記第1の配線基板とを固着したことを特徴とするマイクロ波集積回路。

IPC (3件)：

H03F 3/60 , H01L 23/04 , H03F 1/30

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-071301
高周波半導体混成集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-253834 出願人：三菱電機株式会社
高周波トランジスタ構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-250760 出願人：日本電気エンジニアリング株式会社

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