特許
J-GLOBAL ID：200903002481751983
プラズマCVD装置および成膜方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 慎吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074246
公開番号（公開出願番号）：特開2007-247014
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】基板5が配置されるチャンバ10と、チャンバ10に接続され、基板5と対向するようにチャンバ10内に開口する開口部18を備えた管状部材20と、管状部材20の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置24と、管状部材20に原料ガスを供給する原料ガス供給装置22とを有し、管状部材20の開口部18の内径dは、基板5の外径Dより小さく形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板が配置されるチャンバと、
前記チャンバに接続され、前記被処理基板と対向するように前記チャンバ内に開口する開口部を備えた管状部材と、
前記管状部材の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、
前記管状部材に原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、を有し、
前記管状部材の開口部の内径は、前記被処理基板の外径より小さく形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/455
, C23C 16/511
, C23C 16/452
, H01L 21/285
C23C16/455
, C23C16/511
, C23C16/452
, H01L21/285 C
4K030DA01
, 4K030EA03
, 4K030EA05
, 4K030FA01
, 4K030KA15
, 4M104BB36
, 4M104DD44
, 5F045AA08
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AD10
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EH18
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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