パワー半導体モジュール及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：中島淳 , 加藤和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-201725
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028295
出願日： 2006年07月25日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】冷熱サイクルに対して亀裂、剥離などの不具合を生じない信頼性の高いパワー半導体モジュール及びその製造方法であって、製造工程上、位置ずれなどの不具合を生じないパワー半導体モジュール及びその製造方法を提供すること。【解決手段】パワー半導体素子と、絶縁基板と、放熱板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板との間、及び前記絶縁基板と前記放熱板との間の少なくとも一方を、Cu層、Cu3Sn層及びCu層の順で積層してなる積層構造で接合するパワー半導体モジュール及びその製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子と、絶縁基板と、放熱板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板との間、及び前記絶縁基板と前記放熱板との間の少なくとも一方を、Cu層、Cu3Sn層及びCu層の順で積層された積層構造で接合してなるパワー半導体モジュール。

IPC (1件)：

H01L 23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (7件)：

5F136BA30 , 5F136BB04 , 5F136BC03 , 5F136DA13 , 5F136FA03 , 5F136FA04 , 5F136GA22

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-101128 出願人：同和鉱業株式会社
特開昭57-078144
銅裏面金属構造を備えるGaAs薄型ダイ
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-557131 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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