特許
J-GLOBAL ID：200903002938253615

リソグラフィ基板をオーバーレイするポジ型レジストレイヤをパターニングする方法

発明者：
フィンダース,ジョセフ マリア

フィンダース,ジョセフ マリア について


出願人/特許権者：
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.

エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-266438
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116144
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】マスクエラーファクタを減少するため、およびリソグラフィプロセス分解能を向上させるための単一露光方法および二重露光方法。【解決手段】ポジ型レジストを用いて、互いにインターフェースされた位置で印刷される半密度スペースの2つのサブパターンSDS1,SDS2において緻密ラインアンドスペースの所望パターンに分解することを備える。各露光は、半密度スペースの2つの対応するマスクパターンのスペースに対して相対的なスペース幅広がりを加えた後に、実行される。スペース幅広がりの代表的なファクタは、1および3の間の値を持ち、それによってマスクエラーファクタおよびラインエッジラフネスが減少する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ターゲット特徴幅を持つターゲット特徴および隣接スペースの周期的配置を備えるターゲットパターンで、少なくとも部分的にリソグラフィ基板をオーバーレイするレジストレイヤをパターニングする方法であって、 - オブジェクト特徴幅を持つオブジェクト特徴と隣接スペースの周期的配置を備えるマスクパターンを照射すること、 - 基板上に縮小倍率でマスクパターンを投影すること、 - 各オブジェクト特徴がそれぞれの隣接スペースのブライトネスより低いブライトネスで描かれるマスクパターンのイメージに、レジストレイヤを露光すること、 - 縮小倍率をかけてターゲット特徴幅で割ったオブジェクト特徴幅として定義される比を、0.8より低い値に調整すること、および - ターゲットパターンを提供するように0.8より低い前記比を補正すること、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (3件)：
H01L21/30 514C ,  H01L21/30 514A ,  G03F7/20 521
Fターム (4件)：
5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (6件)
  • Maximization of process window for low-k1 Spaces using KrF lithogarap
  • Maximization of process window for low-k1 Spaces using KrF lithogarap
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