特許
J-GLOBAL ID：200903063190899559
リソグラフィ処理方法およびそれにより製造したデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 吉田 裕
, 岩本 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128561
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343100
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】本発明は複数の露光を使用して放射線感光材料の層の目標部分に望ましいパターンを提供するリソグラフィ処理方法およびそれにより製造したデバイスを提供する。【解決手段】デバイス層のパターンを提供するリソグラフィ二重露光処理方法は、第一および第二露光ステップの前に、予め選択した膨脹距離で第一マスクパターン(31)および第二マスクパターン(32)の各形態を拡張するステップと、前記パターンに対応するレジスト処理済み形態を提供し、それによって各レジスト処理済み形態が名目サイズに対して拡張されるよう、露光した基板の放射線感光層をレジスト処理するステップと、前記レジスト処理済み形態に補足的レジスト処理を加えることにより、予め選択した縮小距離にわたって前記レジスト処理済み形態を縮小させるステップとを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の露光を使用して放射線感光材料の層の目標部分に望ましいパターンを提供するリソグラフィ処理方法で、前記パターンは、最も密度の高い形態がピッチPで配置された複数の形態を備え、方法は、
- 前記複数の形態を、第一および第二サブパターンを備える第一および第二サブセットの形態に分離することを含み、各サブパターンは、Pより大きいピッチで最も密度の高い形態を有し、
方法は、
- 前記第一および第二サブパターンの各形態を拡大することにより、第一および第二適合サブパターンを提供することと、
- 第一適合サブパターンに従ってパターン形成された放射線のビームで、前記目標部分の第一露光を実行することと、
- 第二適合サブパターンに従ってパターン形成された放射線ビームで、前記目標部分の第二露光を実行することとを含み、前記第二露光が、前記第一露光と並置状態で位置合わせした状態で配置され、さらに、
- 組み合わせた適合第一および第二サブパターンに従った形態を備える中間パターンを提供するため、露光した放射線感光層をレジスト処理することと、
- 縮小した形態のサイズを前記望ましいパターンの対応する形態のサイズと一致させるため、中間パターンの形態を縮小する補足的レジスト処理を適用することとを含むことを特徴とする。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/30 514C
, H01L21/30 571
5F046AA13
, 5F046AA25
, 5F046AA28
, 5F046CB17
