特許
J-GLOBAL ID：200903073992636001
2重露光による増強されたリソグラフィ分解能
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 岩本 行夫
, 吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-019007
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223321
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】半導体基板に対する2重露光によるリソグラフィ分解能を増強させること。【解決手段】1つのレチクル・パターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解を受けることが可能な少なくとも2つの成分サブパターンに分解するステップと、基板に事前指定のフォトレジスト層をコーティングするステップと、この少なくとも2つの成分サブパターンのうちの第1のサブパターンの像を当該事前指定のフォトレジスト層上に露光するステップと、露光した基板を処理するステップと、次いで少なくとも2つの成分サブパターンのうちの第2のサブパターンの像を上記事前指定のフォトレジスト層上に露光するステップとにより、第1及び第2のサブパターン画像を合成して基板上に所望のパターンを生成させる。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
リソグラフィ・システムにおいて画像分解能を増強する方法であって、
1つのレチクル・パターンを少なくとも2つの成分サブパターンに分解するステップと、
メモリ反応特性を低減させた事前指定のフォトレジスト層を基板にコーティングするステップと、
前記少なくとも2つの成分サブパターンのうちの第1のサブパターンを、該第1のサブパターンを通過させるように投影ビームを導くことによって露光し、前記リソグラフィ・システムにより前記基板の前記事前指定のフォトレジスト層上に第1のサブパターン画像を生成させるステップと、
前記露光した基板を処理するステップと、
前記少なくとも2つの成分サブパターンのうちの第2のサブパターンを、該第2のサブパターンを通過させるように前記投影ビームを導くことによって露光し、前記リソグラフィ・システムにより前記基板の前記事前指定のフォトレジスト層上に第2のサブパターン画像を生成させるステップと、を含んでおり、
前記露光のステップによって前記第1と第2のサブパターン画像を合成し前記基板上に所望のパターンを生成させている方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502C
, G03F7/20 521
5F046AA13
, 5F046AA25
, 5F046CB17
, 5F046CC01
, 5F046JA22
, 5F046JA27
