特許
J-GLOBAL ID：200903082148814998
パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-388967
公開番号（公開出願番号）：特開2005-148597
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 パターン微細化用被覆形成剤のシュリンク量を大幅に向上させることができ、これによりパターンのより一層の微細化の実現を可能とする新規なパターン微細化用被覆形成剤およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために用いられるパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと、少なくとも酸素原子および/または窒素原子を有する複素環式化合物を含有するパターン微細化用被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターンの形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために用いられるパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと、少なくとも酸素原子および/または窒素原子を有する複素環式化合物を含有するパターン微細化用被覆形成剤。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096EA05
, 2H096HA05
, 2H096HA30
, 5F046LA18
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (17件)
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