基板から素子を切り取る装置及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：政木良文 , 橋本薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-373955
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158859
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】基板をほぼ完全に切断するために基板を設置面に対し固定することを提供し、その結果、切断パターンに沿って基板がダイに分離するのを許容する。更に、切断工程の途中及び後において切断されたダイを設置面に対し固定することを提供する【解決手段】集積素子のアレイが取り付けられた半導体基板を含むウェハ14を切断するプロセス及びシステムであって、多孔性設置面を有し、切断時及びその後において孔部を通した真空吸引で前記ウェハを固定する真空チャックを備える。制御された偏光を有する固体レーザ10を用いて基板に紫外線レーザのレーザパルスを当てて、ウェハ14を切断する。分離したダイを設置面から取り外すために、分離したダイに粘着膜を貼付する。或いは、分離したダイは、切断後にウェハ14から別方法で取り外される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

製品の切断方法であって、設置面を有する多孔性部材の上に前記製品を設置し、前記設置面上の前記製品を前記多孔性部材の孔部を通して吸引することにより固定し、前記吸引によって前記設置面上に固定された状態を維持したまま、前記製品を個々の素子に切断することを含む切断方法。

IPC (6件)：

H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/10 , B28D5/00 , H01L21/68 , H01L33/00

FI (9件)：

H01L21/78 N , B23K26/00 320E , B23K26/10 , B28D5/00 A , H01L21/68 E , H01L21/68 P , H01L33/00 C , H01L21/78 B , H01L21/78 P

Fターム (25件)：

3C016DA05 , 3C069AA03 , 3C069BA08 , 3C069BB01 , 3C069CA05 , 3C069CB01 , 4E068AE01 , 4E068CE09 , 4E068DA10 , 4E068DB10 , 4E068DB12 , 5F031CA02 , 5F031CA13 , 5F031HA02 , 5F031HA14 , 5F031HA57 , 5F031JA04 , 5F031JA28 , 5F031JA36 , 5F031KA06 , 5F031MA34 , 5F031MA40 , 5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA76

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6365429号明細書(第2欄、第20行目〜第28行目参照)

審査官引用 (12件)

レーザ光を用いた硬質非金属膜の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-006357 出願人：日立電線株式会社
半導体保持装置及びダイシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-307859 出願人：富士通株式会社
基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-268370 出願人：ローム株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

《日本カンタム・デザインのLD励起固体UVレーザ発振機》素材加工に高出力UVレーザが有効熱ひずみなく高
《日本カンタム・デザインのLD励起固体UVレーザ発振機》素材加工に高出力UVレーザが有効熱ひずみなく高

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