特許

J-GLOBAL ID：200903003217289089

パワー半導体装置及びインバータ装置

発明者： 石川 勝美 ,  伊君 高志 ,  豊田 瑛一 ,  岡松 茂俊 ,  黒須 俊樹 ,  森 睦宏 ,  斉藤 隆一 ,  関根 茂樹 ,  加藤 修治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104955
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303939
出願日： 2002年04月08日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 モータ駆動用インバータ装置を小型化するために、受電する交流電圧が大きい場合でも、小型化したIGBTモジュールを得ること。【解決手段】 隣り合う交流端子と直流端子間、あるいは隣り合う2つの直流端子間のそれぞれのねじ止め面の間に、このねじよりも高い樹脂製の凸壁と、これに連なるように端子下端より低く窪んだ凹部(溝)を設けた。【効果】 高い凸壁で隣接する端子間の絶縁空間距離を確保し、凸壁と凹部の連続による凹凸部で隣接する端子間の絶縁沿面距離を確保し、高密度で小型化した高耐圧IGBTモジュールを実現した。

請求項（抜粋）：

モジュール内部に複数個の半導体素子を内蔵し、樹脂で構成された表面に2つ以上の端子を配置したパワー半導体装置において、隣り合う2つの端子間に、これらの端子の上端よりも高く突出した樹脂製の凸壁と、これらの端子の下端よりも低く窪んだ凹部を備えたことを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/5387

FI (4件)：

H02M 7/48 Q ,  H02M 7/48 Z ,  H02M 7/5387 Z ,  H01L 25/04 C

Fターム (9件)：

5H007AA00 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC01 ,  5H007FA12 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-011465   出願人：株式会社日立製作所
• パワー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-236167   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置のパッケージ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-299278   出願人：富士電機株式会社
• 水中歩行式浚渫方法および浚渫機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-166395   出願人：首都高速道路公団, 社団法人日本建設機械化協会, 鹿島建設株式会社, 株式会社三井三池製作所
• パワー半導体モジュール及びそれを用いたインバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012902   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 特開昭62-174963