特許
J-GLOBAL ID：200903003235615236
積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のための方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 行一
, 野田 雅一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-360344
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229099
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 メモリが要する面積を減らすと共に、メモリ抵抗に於ける限界要件を下げる事によって製造を容易にし、メモリセルの選択性を向上させ、拡張可能にする方法を提供する。【解決手段】 積層可能な構造を有する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)100であり、第1のワード線102は、電流を運ぶように構成されている。第1のメモリ縦列は、ワード線に電気的に結合されるとともに、互いに隣接して電気的に接続された複数のメモリセル106から構成される。第1のビット線縦列は、第1のワード線から電気的に絶縁されるとともに、第1のメモリ縦列に磁気的に結合され且つ第1のメモリ縦列から電気的に絶縁されている。第1のビット線縦列は、互いに電気的に絶縁され且つメモリ読み出し及びメモリ書き込み中に電流を運ぶように構成された複数のビット線112を備える。第1のビット線縦列は、第1のメモリ縦列と平行である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
積層可能な構造を有する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)であって、
互いに電気的に結合され且つ互いに上下に積層された複数の磁気メモリセルを備え、各磁気メモリセルがデータを記憶するように構成された第1のメモリ縦列と、
前記第1のメモリ縦列に電気的に結合された導電性の第1のワード線と、
前記第1のメモリ縦列から水平に配置され且つ前記第1のメモリ縦列と平行に配置されるとともに、前記第1のワード線から電気的に絶縁された第1のビット線縦列であり、前記第1のメモリ縦列から電気的に絶縁され且つ互いに電気的に絶縁された導電性の複数のビット線を備え、これらの複数のビット線のうちの1つを通じて流れる電流が複数の磁気メモリセルのうちの1つに影響を与える磁場を形成するように、十分に近接して位置されている第1のビット線縦列と、
を備えるMRAM。
IPC (3件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083JA37
, 5F083JA39
