ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105299
公開番号（公開出願番号）：特開2001-290272
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、現像欠陥の少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定のシリコン含有基を側鎖に有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位と、下記一般式(IIa)及び(IIb) のうち少なくともいずれかで表される繰り返し単位、下記一般式(III)で表される繰り返し単位、および以下のような特性を有する繰り返し単位(IV):〔一般式(I)〜(III)で表される繰り返し単位に対応する単量体と共重合可能であり、ラクトン構造を含む基、ラクタム構造を含む基、-OH、-OCH3、-OCORa、-NHCORa、-NHSO2Ra、-N(R)CORa、-N(R)SO2Ra、-COOH、-COORa、-CONHRa、-CONHSO2Ra、-CON(R)SO2Ra、-CON(Ra)(Rb)、-CNの群から選ばれる少なくとも1つの官能基を含有し(ここで、R、Ra、Rbはそれぞれ独立に置換されていても良い、炭素数1〜10のアルキルまたはアリール基を表す。)、酸に対して実質的に分解しない。〕を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(IIa)【化2】式(IIa)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは水素原子または酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。一般式 (IIb)【化3】式(IIb)中、X1とX2は、それぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、-NH-、-NHSO2-から選ばれた基を表す。L1とL2は、それぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A1は、-Q又は-COOQを表すが、X1が酸素原子で、L1が単結合を表す場合にはA1は-Qを表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR'、-CO-NH-R''、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良い環状炭化水素基、アルコキシ基、又は-COOQを表す(ここでR'、R''はそれぞれ独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。)。Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。一般式(III)【化4】式(III)中、Zは酸素原子、又はN-R3を表す。R3は水素原子、水酸基、直鎖または分岐を有するアルキル基あるいは-O-SO2-R4を表す。R4はアルキル基、トリハロメチル基を表す。

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 , C08L 33/00 , C08L 33/06 , C08L 33/14 , C08L 35/00 , C08L 43/04 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 , C08L 33/00 , C08L 33/06 , C08L 33/14 , C08L 35/00 , C08L 43/04 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

Fターム (40件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF05 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB15 , 2H025CB34 , 2H025CB43 , 2H025CB52 , 2H025FA17 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BH001 , 4J002BH021 , 4J002BQ001 , 4J002CH052 , 4J002EB106 , 4J002ER027 , 4J002EU047 , 4J002EU137 , 4J002EU186 , 4J002EU216 , 4J002EU237 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002FD146 , 4J002FD207 , 4J002FD312 , 4J002GP03

引用特許：

審査官引用 (6件)

化学的に増幅された電子線リソグラフィ用レジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-327951 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
フオトレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353047 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
薄膜形成ポリマ-
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-117012 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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