特許

J-GLOBAL ID：200903003266420123

半導体装置の製造方法

発明者： 田所 昌洋 ,  塩屋 雅弘
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151302
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347279
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 窒化シリコン膜のエッチング終点を正確に検出して、コンタクトホール形成工程における半導体基板領域のダメージを低減する。【解決手段】 半導体基板21上にゲート電極25を覆うように、窒化シリコン膜29および酸化シリコン膜30を形成する。それから、酸化シリコン膜30上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンおよび反射防止膜をエッチングマスクとして用いて酸化シリコン膜30をエッチングする。フォトレジストパターンおよび反射防止膜を除去した後、窒化シリコン膜29中の窒素とエッチャントガスとの反応生成物に起因した発光スペクトルをモニタしながら、酸化シリコン膜30をエッチングマスクとして用いて窒化シリコン膜29をプラズマエッチングによりエッチングする。これにより、コンタクトホール33を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を準備する工程、前記半導体基板上に第1の膜を形成する工程、前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程、前記第2の膜上にマスクパターンを形成する工程、前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて、前記第2の膜をエッチングする工程、前記マスクパターンを除去する工程、および、前記第1の膜の構成成分とエッチャントガスとの反応生成物をモニタしながら、前記第2の膜をエッチングマスクとして用いて前記第1の膜をエッチングする工程、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 103 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 21/302 301 S ,  H01L 21/302 301 N

Fターム (90件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD71 ,  4M104DD72 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104DD91 ,  4M104DD92 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104GG16 ,  4M104HH15 ,  5F004BA04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA06 ,  5F004EA13 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033LL01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX34 ,  5F083AD00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA19 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288546   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-106268   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100237   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-227810   出願人：ソニー株式会社
• コンタクトホ-ル形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115591   出願人：松下電器産業株式会社