特許
J-GLOBAL ID：200903003273440997
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-334296
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153487
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【目的】 CMPを用いた層間絶縁膜の平坦化において、高い平坦性を得る。【構成】 配線下絶縁膜12とAl配線13が形成されたシリコン基板11上にTEOS、N2 O等をソースとするプラズマCVD法により、厚いSiON膜14を形成する〔図2(b)〕。連続して、プラズマCVD法により、SiO2 膜15を形成し〔図2(c)〕、CMP法による研磨を行う〔図2(d)〕。SiON膜14に代え、SiO2 膜を用いることができ、SiO2 膜15に代え、BSG膜、PSG膜、BPSG膜を用いることができる。
請求項（抜粋）：
(1)段差のある半導体基板上に単一または最上層の絶縁層の膜厚が最も厚い複数の絶縁層からなる、前記段差以上の膜厚の第1の絶縁膜を形成する工程と、(2)前記第1の絶縁膜上に、該第1の絶縁膜またはその最上層の絶縁層より化学的機械研磨(CMP)における研磨速度が高い材料からなる第2の絶縁膜を形成する工程と、(3)化学的機械研磨により、少なくとも凸パターン上の前記第2の絶縁膜を完全に除去して平坦面を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, H01L 21/304 341
, H01L 21/318
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/31 C
, H01L 21/304 341 S
, H01L 21/318 C
, H01L 21/88 K
, H01L 21/90 M
, H01L 21/94 Z
