特許
J-GLOBAL ID：200903003299817959
化合物半導体単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005318
公開番号（公開出願番号）：特開2005-200229
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】成長過程全般、特に種付け部が液体封止剤中を通過するまでの固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、GaAs単結晶の収率を大幅に向上させることができるようにする。【解決手段】化合物半導体単結晶の製造方法は、結晶成長用容器9内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、加熱手段としてのヒータ5により原料及び封止剤を加熱して、原料融液15とその上に液体封止剤16とを形成し、種結晶12を原料融液15に接触させて種付けを行い、種付け部17aを原料融液15から引上げて化合物半導体単結晶を成長する。この成長過程において前記種付け部17aが前記液体封止剤16中を通過するまでの引上速度は、5mm/h以下とする。また、成長過程において前記種付け部17aが前記液体封止剤16中を通過した後の引上速度は、5mm/h以上、15mm/h以下とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶成長容器内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、加熱手段により原料及び封止剤を加熱して、原料融液とその上に液体封止剤とを形成し、種結晶を原料融液層に接触させて種付けを行い、種付け部を原料融液から引上げて化合物半導体単結晶を成長する製造方法において、
成長過程において前記種付け部が前記液体封止剤中を通過するまでの引上速度が、5mm/h以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077BE46
, 4G077CF10
, 4G077EH09
, 4G077EJ07
, 4G077PF17
出願人引用 (7件)
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単結晶の直径制御方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-064183
出願人：住友シチックス株式会社
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特開昭63-176398
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化合物半導体単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-012063
出願人：株式会社ジャパンエナジー
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審査官引用 (6件)
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