特許

J-GLOBAL ID：200903003305299671

半導体レーザ素子

発明者： 竹内 邦生 ,  廣山 良治 ,  井上 大二朗 ,  岡本 重之 ,  松岡 憲昭 ,  亀山 真吾 ,  太田 潔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087382
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319987
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】放熱特性および信頼性(寿命)の向上と、製造プロセスの簡略化および製造歩留まりの向上とを図ることが可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子は、n型GaAs基板1上に形成された発光層4と、p型第1クラッド層5の上面上に所定の間隔を隔てて形成され、p型第2クラッド層6、中間層7およびコンタクト層8から構成されるメサ形状(台形状)の凸状のリッジ部12およびダミーリッジ部13と、リッジ部12の側面を覆うように形成され、Seがドープされたn型AlInP層とn型GaAs層との積層膜からなる電流ブロック層9と、リッジ部12の上面上に接触するように形成された第1p側電極10とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された発光層と、 前記発光層上に形成され、凸状のリッジ部を構成する半導体層と、 少なくとも前記リッジ部の側面を覆うように形成された半導体からなる電流ブロック層と、 前記リッジ部の上面上に接触するように形成された第1金属電極と、 前記リッジ部と所定の間隔を隔てて、前記リッジ部の両側に配置された凸状の支持部とを備えた、半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/02

FI (1件)：

H01S5/02

Fターム (7件)：

5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA61 ,  5F073CB23 ,  5F073EA21 ,  5F073EA29 ,  5F073FA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-051348   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-276487   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-364491   出願人：株式会社東芝
• 多ビーム半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-212186   出願人：株式会社日立製作所
• 3-5族化合物半導体用電極材料とその電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-030900   出願人：住友化学工業株式会社