低ノイズ及び高性能のLSI素子、レイアウト及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-099739
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286341
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】低ノイズ及び高性能のLSI素子、レイアウト及びその製造方法を提供する。【解決手段】NMOS素子及びPMOS素子が何れもアナログ及びデジタルモードのような相異なるモードで動作される半導体素子において、これら素子の要求される動作モードによって特定素子にストレスエンジニアリングを選択的に適用する。すなわち、素子の導電型、すなわち、n型またはp型はもとより、それらの動作による役割、例えばアナログ/デジタル、低電圧/高電圧、高速/低速、ノイズ敏感如何などに基づいて素子、すなわちNMOS及び/またはPMOS素子で適切な機械的ストレス、すなわち引張応力または圧縮応力を印加及び/または除去する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

複数の回路領域内に複数の導電型を有し、複数の動作モードで動作する複数の素子を形成する段階と、前記素子の動作モードに基づいて選択された少なくとも1つの素子に機械的ストレスを印加する段階と、を含むことを特徴とする回路製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L27/08 321A , H01L27/08 321E , H01L29/78 301N , H01L29/78 301P , H01L29/78 301S

Fターム (45件)：

5F048AA00 , 5F048AA08 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F140AA01 , 5F140AA03 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC00 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BH06 , 5F140BH15 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CC04 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,573,172号明細書

審査官引用 (9件)

特開昭62-013061
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-041534 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-065911 出願人：株式会社東芝

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