半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336669
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172389
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】所望のMOSトランジスタのみにチャネル領域に引っ張り応力を印加してキャリア移動度を向上させ、且つ、製造工程の複雑化を抑える。【解決手段】シリコン基板10上にnMOSトランジスタのゲート絶縁膜13およびゲート電極14を非晶質シリコンで形成し、ゲート電極14をマスクとして例えばAsやSb等の比較的質量数が大きい(質量数70以上)n型ドーパントを注入するすることで、nMOSトランジスタのソースドレイン領域を形成する。それにより、ゲート電極14は非晶質化する。そして、ゲート電極14が再結晶化する温度(約550°C)以下の温度条件でゲート電極14を覆うようにシリコン酸化膜40を形成し、その後1000°C程度の加熱処理を行う。それにより、ゲート電極14内に強い圧縮応力が残留すると共に、その下のチャネル領域には強い引っ張り応力が印加され、当該nMOSトランジスタのキャリア移動度は向上する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたポリシリコンのゲート電極を備え、前記ゲート電極は、内部応力として圧縮応力を有し、前記シリコン基板に引っ張り応力を印加しており、質量数70以上のイオンが注入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (12件)：

H01L29/78 301H , H01L21/28 301A , H01L27/08 102C , H01L27/08 102B , H01L27/08 321D , H01L27/08 321E , H01L27/08 321B , H01L29/58 G , H01L21/265 P , H01L21/265 Q , H01L29/78 301P , H01L29/78 301G

Fターム (81件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD55 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA00 , 5F140BA01 , 5F140BC01 , 5F140BD18 , 5F140BE16 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF31 , 5F140BF38 , 5F140BF42 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG35 , 5F140BG37 , 5F140BG41 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BG60 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH22 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK35 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB08 , 5F140CF04 , 5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-007835 出願人：株式会社東芝
特開平4-099037
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-130639 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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