特許
J-GLOBAL ID：200903003429969810
表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079670
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277852
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 横モードが安定しており、しかも、しきい値電流が低く、高出力であり、製造方法が容易で再現性が高い表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 第1ミラー反射率調整層(位相調整層兼電流ブロック層)8が、基板水平面内にコンタクト層7を露出させる開口部11を有する層であり、第2ミラー反射率調整層(位相調整層兼電極層)9が、開口部のコンタクト層上の少なくとも一部、及び第1ミラー反射率調整層上の少なくと一部に積層されてなり、コンタクト層7と第1ミラー反射率調整層8とが、異なる導電型を有することを特徴とする表面発光型半導体レーザである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下部半導体多層反射膜、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部半導体多層反射膜、コンタクト層、第1ミラー反射率調整層、及び第2ミラー反射率調整層を有する表面発光型半導体レーザであって、第1ミラー反射率調整層が、基板水平面内にコンタクト層を露出させる開口部を有する層であり、第2ミラー反射率調整層が、開口部のコンタクト層上の少なくとも一部、及び第1ミラー反射率調整層上の少なくと一部に積層されてなり、コンタクト層と第1ミラー反射率調整層とが、異なる導電型を有することを特徴とする表面発光型半導体レーザ。
Fターム (8件)：
5F073AA51
, 5F073AA73
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA05
, 5F073CB10
, 5F073DA27
, 5F073EA23
