特許
J-GLOBAL ID：200903083414128600

半導体装置

発明者：
石川 正行

石川 正行 について

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西川 幸江

西川 幸江 について

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小野村 正明

小野村 正明 について

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斎藤 真司

斎藤 真司 について

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パーブルック・ピーター

パーブルック・ピーター について

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波多腰 玄一

波多腰 玄一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044453
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254695
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】素子温度の上昇による結晶欠陥を防止できる素子構造を提供すること。【構成】p型ZnSe層101と、このp型ZnSe層101の表面の一部を覆うn型ZnSe層102と、このn型ZnSe層102により覆われていない部分のp型ZnSe層101の表面にコンタクトする金属電極103とを備えている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、この第1導電型の半導体層の表面の一部を覆う第2導電型の半導体層と、この第2導電型の半導体層により覆われていない部分の前記第1導電型の半導体層の表面および前記第2導電型の半導体層の表面にコンタクトする電極とを具備してなり、前記半導体層が II-VI族化合物半導体または窒素を含む III-V族化合物半導体からなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (8件)
  • オーミック電極及びその形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160101   出願人：ソニー株式会社
  • 薄膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-055962   出願人：株式会社東芝
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179198   出願人：株式会社東芝
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