膜形成用基板および半導体膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087171
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272203
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】GaN系半導体膜を形成するための加工性に優れた基板を提供する。【解決手段】本発明の膜形成用基板は、(CrxAl1-x)2O3(0≦x≦1)単結晶にGa、TiおよびNbから選ばれる少なくとも1種が添加された固溶体単結晶から構成されている。固溶体単結晶は好ましくは、コランダム構造を備えている。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(CrxAl1-x)2O3(0≦x≦1)単結晶にGa、TiおよびNbから選ばれる少なくとも1種が添加された固溶体単結晶からなる膜形成用基板。

IPC (4件)：

C30B29/22 , C30B29/20 , C30B29/38 , H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/22 A , C30B29/20 , C30B29/38 D , H01L21/205

Fターム (17件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BB01 , 4G077BC01 , 4G077BE15 , 4G077CE03 , 4G077CF10 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TK02 , 5F045AB14 , 5F045AF09 , 5F045BB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体用基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050727 出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (10件)

特開昭51-049676
特開昭54-002659
窒化ガリウム基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-358811 出願人：ゼロックス・コーポレーション

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