特許
J-GLOBAL ID：200903003530108095
リッジ型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243248
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 光通信、光ディスク装置等に使用するリッジ型半導体レーザに関し、注入電流を大きくした場合でも電流阻止機能が低下せず、発光強度の低下を招かない電流狭窄層を備えたリッジ型半導体レーザを提供する。【解決手段】 レーザ光強度が、活性層中央でのレーザ光強度の1/e以下とクラッド層内に、高抵抗の電流狭窄層を、リッジ部下部領域を挟んで対称に配置する。
請求項（抜粋）：
第1電極を有する第1導電型の基板上に形成された第1導電型クラッド層と、活性層を挟んで該第1導電型クラッド層上に設けられた第2導電型クラッド層とを含み、該第2導電型クラッド層の上方部分が、第2電極を有するリッジ部を形成するリッジ型半導体レーザであって、上記第2電極から上記第1電極に流れる電流が、上記リッジ部下方の上記活性層に集まるように、レーザ光強度が、上記活性層の略中央部のレーザ光強度の1/e以下となるような上記第1導電型クラッド層に、上記リッジ部の下方領域を挟んで略対称に配置された高抵抗の電流狭窄層を備えることを特徴とするリッジ型半導体レーザ。
引用特許：
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