特許
J-GLOBAL ID：200903003564169816

プラズマ窒化処理方法および半導体装置の製造方法

発明者：
佐々木 勝

佐々木 勝 について

, 
壁 義郎

壁 義郎 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186526
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005696
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能なプラズマ窒化処理方法を提供する。【解決手段】被処理体表面に露出したポリシリコン膜を窒素含有プラズマにより窒化するプラズマ窒化処理方法であって、複数のスロットを有する平面アンテナ31にて処理室内1にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、66.7Pa〜1333Paの処理圧力で前記ポリシリコン膜をプラズマ窒化処理することを特徴とする、プラズマ窒化処理方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体表面に露出したポリシリコン膜を窒素含有プラズマにより窒化するプラズマ窒化処理方法であって、 複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、66.7Pa〜1333Paの処理圧力で前記ポリシリコン膜をプラズマ窒化処理することを特徴とする、プラズマ窒化処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L21/318 A ,  H01L27/10 621B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (19件)：
5F058BA11 ,  5F058BC08 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD60 ,  5F083AD62 ,  5F083EP52 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA40 ,  5F083PR00 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F101BA29 ,  5F101BH05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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