特許
J-GLOBAL ID：200903031762388950

半導体デバイスの製造方法

発明者：
岡村 秀亮

岡村 秀亮 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-344023
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179406
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】凹状部に電荷保持素子を形成する半導体デバイスの製造方法において、凹状部に形成する下部電極を覆う感光性樹脂の膜厚バラツキによる電荷保持素子の製造不良を防止する。【解決手段】凹状部203の周面に遊離アンモニアを含む窒化シリコン膜401を形成し、露光時に酸発生剤から発生する水素イオンを窒化シリコン膜401から浸み出したアンモニアでトラップしてアンモニウムイオンを生成させ、ポジ型の化学増幅型の感光性樹脂の分解を凹状部203内で抑制する。【選択図】 図13
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を介して電荷保持素子を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 前記層間絶縁膜に凹状部を形成する凹状部形成工程と、 前記層間絶縁膜の表面に導電膜を堆積する導電膜堆積第1工程と、 前記凹状部の内面にポジ型の化学増幅型の感光性樹脂の分解を抑制する抑制層を形成する抑制層形成工程とを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/8242 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L27/108
FI (4件)：
H01L27/10 621C ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521
Fターム (36件)：
2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096CA05 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA06 ,  5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083GA27 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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