特許
J-GLOBAL ID：200903003604228608

露光方法、レチクル及び半導体装置の製造方法

発明者：
俵山 和雄

俵山 和雄 について

, 
河野 拓也

河野 拓也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186713
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015419
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 露光装置のショットエリアを有効に使用できるように配列誤差の低減が可能な露光方法を提供する。【解決手段】 レチクルのショットエリアに隣接パターンに対する配列誤差の測定用のマークを形成し(ステップS1)、ウェーハ上にマークの露光と現像を行う(ステップS2)。そして、ウェーハ上のマークの配列誤差を計測し(ステップS3)、4つの誤差成分を算出する(ステップS4)。最後に、算出した誤差成分を用いて露光装置を補正する(ステップS7)。このことにより、次に行う露光の際の配列誤差が低減する。
請求項（抜粋）：
レチクルのショットエリアに隣接パターンに対する配列誤差の測定用のマークを形成する工程と、前記レチクルを用いてウェーハ上に前記マークの露光と現像を行う工程と、前記マークの前記ウェーハ上での配列誤差を計測する工程と、前記配列誤差から4つの誤差成分を算出する工程と、前記誤差成分を用いて前記露光を行う装置を補正する工程とを含むことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 9/00
FI (2件)：
H01L 21/30 525 W ,  G03F 9/00 H
Fターム (5件)：
5F046DB05 ,  5F046EA04 ,  5F046EB01 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM