特許
J-GLOBAL ID：200903003635733947

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体

発明者：
市原 滋

市原 滋 について

, 
斉藤 達也

斉藤 達也 について

, 
田 透

田 透 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-151340
公開番号（公開出願番号）：特開2006-326724
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 長さの均一なナノ細線を有するナノ構造体の製造方法および構造体を提供する。【解決手段】 基板21または下地層22上に、陽極酸化により孔が形成される材料から成る層を2層以上積層して積層体23、24を形成する工程と、前記積層体を陽極酸化して孔25を形成する工程と、前記孔の中に内包物26を充填する工程と、前記陽極酸化された積層体の上層を選択的に溶解して除去し、内包物からなるナノ細線27を形成する工程とを有するナノ細線を有するナノ構造体の製造方法。前記ナノ構造体を利用した電界放出型電子源、ナノインプリント用モールド、プローブ顕微鏡用探針。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ナノ構造体の製造方法であって、基板または下地上に、陽極酸化により孔が形成される材料から成る層を2層以上積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を陽極酸化して孔を形成する工程と、前記孔の中に内包物を充填する工程と、前記陽極酸化された積層体の上層を選択的に溶解して除去し、内包物からなるナノ細線を形成する工程とを有することを特徴とするナノ細線を有するナノ構造体の製造方法。
IPC (9件)：
B82B 3/00 ,  B81B 1/00 ,  B81C 1/00 ,  G01N 13/12 ,  G01N 13/16 ,  H01J 29/04 ,  H01J 1/304 ,  G12B 21/04 ,  G12B 21/08
FI (9件)：
B82B3/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N13/12 D ,  G01N13/16 C ,  H01J29/04 ,  H01J1/30 F ,  G12B1/00 601B ,  G12B1/00 601D
Fターム (8件)：
5C031DD17 ,  5C135AA12 ,  5C135AA15 ,  5C135AB02 ,  5C135AB03 ,  5C135AC03 ,  5C135HH04 ,  5C135HH15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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