特許
J-GLOBAL ID：200903022950523165

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体

発明者：
市原 滋

市原 滋 について

, 
斉藤 達也

斉藤 達也 について

, 
田 透

田 透 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-151339
公開番号（公開出願番号）：特開2006-326723
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 長さの均一な突起物を有するナノ構造体の製造方法およびナノ構造体を提供する。【解決手段】 基板21または下地層22上に、陽極酸化により孔が形成される材料から成る層を2層以上有する積層体23、24を形成する工程と、前記積層体を陽極酸化して貫通した孔25を形成する工程と、前記孔の中に内包物26を充填する工程と、前記陽極酸化された積層体の上層24を選択的に除去して内包物からなる突起物27を形成する工程とを有する構造体の製造方法。前記ナノ構造体を利用した電界放出型電子源、ナノインプリント用モールド、プローブ顕微鏡用探針、磁気記録媒体。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ナノ構造体の製造方法であって、基板または下地上に、陽極酸化により孔が形成される材料から成る層を2層以上積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を陽極酸化して貫通した孔を形成する工程と、前記孔の中に内包物を充填する工程と、前記陽極酸化された積層体の上層を選択的に除去して内包物からなる突起物を形成する工程とを有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (11件)：
B82B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  B82B 1/00 ,  C25D 11/24 ,  G01N 13/10 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/858 ,  H01J 29/04 ,  H01J 1/304 ,  H01L 21/027
FI (11件)：
B82B3/00 ,  B81C1/00 ,  B82B1/00 ,  C25D11/24 302 ,  G01N13/10 ,  G11B5/65 ,  G11B5/84 A ,  G11B5/858 ,  H01J29/04 ,  H01J1/30 F ,  H01L21/30 502D
Fターム (19件)：
5C031DD17 ,  5C135AA12 ,  5C135AA15 ,  5C135AB02 ,  5C135AB03 ,  5C135AB07 ,  5C135AC03 ,  5C135HH03 ,  5C135HH04 ,  5D006BB05 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112BB02 ,  5D112EE02 ,  5D112GA14 ,  5D112GA27 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM