ドライエッチング装置及びドライエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-135974
公開番号（公開出願番号）：特開平8-302488
出願日： 1995年05月08日
公開日（公表日）： 1996年11月19日
要約：

【要約】【目的】高アスペクト比の溝の底部においても高い選択性が得られるエッチング条件を設定することを可能にする。【構成】真空に排気できる反応容器内1に、水素ガスを添加したフッ化炭素系のガスを導入し、このガスによってプラズマを発生させてシリコンの酸化膜をエッチングする。プラズマ中で生成される一フッ化炭素ラジカルと二フッ化炭素ラジカルとの数密度の比は、イオン化エネルギー調整機構を備えた四重極質量分析計51からなる測定手段5によって測定され、二フッ化炭素ラジカル数密度に対する一フッ化炭素ラジカル数密度の比を最大にした状態でエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

真空に排気できる反応容器内に、フッ化炭素系のガスを導入し、このガスによってプラズマを発生させてシリコンの酸化膜をエッチングするドライエッチング装置において、プラズマ中で生成される一フッ化炭素ラジカルと二フッ化炭素ラジカルとの数密度の比を測定する測定手段を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (4件)：

C23F 4/00 , C30B 33/12 , C30B 35/00 , H01L 21/3065

FI (5件)：

C23F 4/00 E , C30B 33/12 , C30B 35/00 , H01L 21/302 F , H01L 21/302 E

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭63-076432
特開昭58-091173
プラズマエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-135975 出願人：堀池靖浩, アネルバ株式会社

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